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三星英特尔跨入代工:未来依靠可穿戴兴起_宝博体育官方下载

发布时间:2021-11-25 01:07 作者:宝博体育官方下载 点击: 【 字体:

本文摘要:在9月份开会的SEMICONTaiwan2014展览会上,ASML公司的台湾地区销售经理郑国伟透漏,第3代极紫外光(EUV)设备已销售6台。郑国伟同时认为,ASML的EUV设备近期获得难以置信突破,有数2家客户在以它展开晶圆处置时,测试结果超过每天可曝光多达600片晶圆。 业界消息也印证了郑国伟的讲话:ASML与半导体制造厂联合研发,时隔7月底英特尔顺利利用EUV微影技术,在24小时内已完成曝光逾600片晶圆之后,台积电也顺利在一天内已完成600片晶圆曝光。

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在9月份开会的SEMICONTaiwan2014展览会上,ASML公司的台湾地区销售经理郑国伟透漏,第3代极紫外光(EUV)设备已销售6台。郑国伟同时认为,ASML的EUV设备近期获得难以置信突破,有数2家客户在以它展开晶圆处置时,测试结果超过每天可曝光多达600片晶圆。  业界消息也印证了郑国伟的讲话:ASML与半导体制造厂联合研发,时隔7月底英特尔顺利利用EUV微影技术,在24小时内已完成曝光逾600片晶圆之后,台积电也顺利在一天内已完成600片晶圆曝光。

这个消息在印证郑国伟的讲话的同时,也伴随了全球两家顶级大厂未来使用EUV光刻技术,在10nm的量产关键技术选项中完全实时,或者说台积电在10nm时成功跟上业界龙头英特尔。  10nm制程的十字路口  困局是由于光源的功率严重不足等原因,造成EUV设备再三被延期,让业界完全失去信心。  众所周知,仍然以来半导体业界宿老的宝典是每两年跨上一个工艺台阶,即所谓的0.7制程理论。

打个比方,如果说2011年半导体业界跨上了22nm工艺台阶,那么2013年就是220.7=14nm。为什么半导体产业界不会义无反顾地去遵循这一规律呢?道理十分确切,尺寸增大,在某种程度的芯片面积上晶体管的密度增加一倍,就相等于每个晶体管成本上升50%。

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  但是,半导体业的行进之路到了28nm之后,就再次发生了变化。当工艺制程转入22nm/20nm时,成本比起28nm不仅没上升,反而增高。

原因是当工艺尺寸增大到22nm/20nm时,传统的193nm光刻,还包括用于浸液式、OPC等技术早已无能为力,必需使用辅助的两次图形曝光技术(Doublepatterning,简写为DP)。从原理上谈,DP技术更容易解读,甚至可以曝光3次、4次。但是这终将带给两大问题:一个是光刻特掩模的成本很快下降,另一个是工艺的循环周期缩短。

所以业界心知肚明,在下一代光刻技术EUV仍未成熟期之前,使用DP技术是不得已而为之的。  所以全球半导体业界在向14nm制程迈向时,一方面使用DP技术,另一方面为了增加溢电流与功耗,使用新的FinFET结构(录:英特尔在22nm制程时首先使用FinFET工艺)。  至于未来向10nm会师时,业界仍然有争辩,一种方案是使用FinFET结构,但是工艺制程上使用DP技术早已敢了,有可能必需使用3次或者4次图形曝光技术,另一种方案是等候EUV设备的复活。

尽管EUV光刻工艺,从理论上由于曝光波长才13.4nm,在10nm时可以不用使用DP,从而节省成本(录:到了7nm时,即使是EUV也必须使用DP技术)。但是使用EUV适当也不会带给产业链的改变,某种程度非同小可。


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